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深亚微米MOS器件的热载流子效应

刘红侠 郝跃 孙志

半导体学报2001，Vol.22Issue(6)：770-773,4.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(6)：770-773,4.

深亚微米MOS器件的热载流子效应

Hot-Carrier Effects in Deep Sub-Micron MOSFET's

刘红侠 1郝跃 1孙志1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,西安 710071
  • 折叠

摘要

关键词

深亚微米/MOS器件/热载流子效应/可靠性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘红侠,郝跃,孙志..深亚微米MOS器件的热载流子效应[J].半导体学报,2001,22(6):770-773,4.

基金项目

国防科技电子预研资助项目(No.G9825741). （No.G9825741）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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