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常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能

戴江南 王立 方文卿 蒲勇 莫春兰 熊传兵 郑畅达 刘卫华 江风益

发光学报2005,Vol.26Issue(6):772-776,5.
发光学报2005,Vol.26Issue(6):772-776,5.

常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能

ZnO Thin Films Grown on GaN/Al2O3 Templates by Atmospheric Pressure MOCVD

戴江南 1王立 1方文卿 1蒲勇 1莫春兰 1熊传兵 1郑畅达 1刘卫华 1江风益1

作者信息

  • 1. 南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047
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摘要

关键词

金属有机化学气相沉积/GaN/Al2O3/原子力显微镜/X射线双晶衍射/光致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

戴江南,王立,方文卿,蒲勇,莫春兰,熊传兵,郑畅达,刘卫华,江风益..常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能[J].发光学报,2005,26(6):772-776,5.

基金项目

国家"863"计划纳米专项(2003AA302160) (2003AA302160)

电子发展基金(2004125)资助项目 (2004125)

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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