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低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

冯玉春 刘晓峰 王文欣 彭冬生 郭宝平

人工晶体学报2006,Vol.35Issue(4):772-776,5.
人工晶体学报2006,Vol.35Issue(4):772-776,5.

低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

Reduction of Cracks in GaN Film Grown on Si(111) by Low-temperature AlN Interlayer

冯玉春 1刘晓峰 1王文欣 1彭冬生 1郭宝平1

作者信息

  • 1. 深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,深圳,518060
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摘要

关键词

Si(111)/GaN/AlN

Key words

Si(111)/GaN/AlN

分类

数理科学

引用本文复制引用

冯玉春,刘晓峰,王文欣,彭冬生,郭宝平..低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂[J].人工晶体学报,2006,35(4):772-776,5.

基金项目

广东省关键领域重点突破项目(No.ZB2003A07) (No.ZB2003A07)

深圳市科技计划项目(No.200515) (No.200515)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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