半导体学报2001，Vol.22Issue(6)：774-778,5.
背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响
Influence of Backsurface Ar+ Bombardment on theCharacteristics of n-MOSFET
黄美浅 1李观启 1曾绍洪1
作者信息
- 1. 华南理工大学应用物理系,广州 510641
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摘要
关键词
背面Ar+轰击/n-MOSFET分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄美浅,李观启,曾绍洪..背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响[J].半导体学报,2001,22(6):774-778,5.
