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半导体学报
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Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响
Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响
李观启
黄美浅
曾绍鸿
曾旭
半导体学报
Issue(10)：775,1.
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半导体学报
Issue(10)
：775,1.
Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响
李观启
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黄美浅
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曾绍鸿
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李观启,黄美浅,曾绍鸿,曾旭..Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响[J].半导体学报,1996,(10):775,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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