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LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析

唐本奇 罗晋生 耿斌 李国政

半导体学报Issue(9)：776,1.
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半导体学报Issue(9)：776,1.

LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析

唐本奇 1罗晋生 1耿斌 2李国政2

作者信息

  • 1. 西安交通大学
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摘要

关键词

LDMOS晶体管/结构/LDMOST/耐压分析

分类

信息技术与安全科学

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唐本奇,罗晋生,耿斌,李国政..LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析[J].半导体学报,1999,(9):776,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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