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整体式空腔Cu靶的化学镀制备工艺

刘继光 万小波 付渠 周兰 肖江

原子能科学技术2005，Vol.39Issue(1)：77-79,3.
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原子能科学技术2005，Vol.39Issue(1)：77-79,3.

整体式空腔Cu靶的化学镀制备工艺

Electroless Plating Technology of Integral Hohlraum Cu Target

刘继光 1万小波 2付渠 1周兰 2肖江2

作者信息

  • 1. 西南科技大学,制造学院,四川,绵阳,621010
  • 2. 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
  • 折叠

摘要

关键词

惯性约束聚变/Cu靶/化学镀/表面钝化

分类

能源科技

引用本文复制引用

刘继光,万小波,付渠,周兰,肖江..整体式空腔Cu靶的化学镀制备工艺[J].原子能科学技术,2005,39(1):77-79,3.

基金项目

国家"863"高技术804-4专题资助项目(44010) （44010）

原子能科学技术

OA北大核心CSCD

1000-6931

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