半导体学报2008，Vol.29Issue(4)：780-784,5.
基于回归正交设计的ICP刻蚀机工艺腔室流场特性分析
Analysis of Processing Chamber Flow Field Characteristics for an ICP Etcher Based on Regression Orthogonal Design
摘要
关键词
感应耦合等离子体/回归正交设计/cFD-ACE+/工艺腔室分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
程嘉,朱煜,段广洪,王春洪..基于回归正交设计的ICP刻蚀机工艺腔室流场特性分析[J].半导体学报,2008,29(4):780-784,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2004CB318007) （批准号:2004CB318007）
