人工晶体学报2006，Vol.35Issue(4)：781-784,4.
不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响
Effect of Different Coupling Widths on Induction Heating in the Large Size SiC Growth System
摘要
关键词
SiC/PVT法/磁矢势/焦耳热分类
数理科学引用本文复制引用
张群社,陈治明,李留臣,蒲红斌,封先锋,陈曦..不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响[J].人工晶体学报,2006,35(4):781-784,4.基金项目
陕西省重大科技创新项目(No.2004K07-G9)和西安理工大学优秀博士学位论文研究基金资助 （No.2004K07-G9）
