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半导体学报
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退火对CdZnTe晶体质量的影响
退火对CdZnTe晶体质量的影响
朱基千
褚君浩
张小平
李标
程继健
半导体学报
Issue(10):782,1.
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半导体学报
Issue(10)
:782,1.
退火对CdZnTe晶体质量的影响
朱基千
1
褚君浩
2
张小平
3
李标
3
程继健
3
作者信息
1.
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室
2.
华东理工大学无机材料系
折叠
摘要
关键词
化含物半导体
/
晶体质量
/
退火
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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朱基千,褚君浩,张小平,李标,程继健..退火对CdZnTe晶体质量的影响[J].半导体学报,1997,(10):782,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN:
1674-4926
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