半导体学报2008，Vol.29Issue(4)：785-788,4.
P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
An Energy Band Design for p-Type Tensile Strained Si/SiGe Quantum Well Infrared Photodetectors
摘要
关键词
张应变/锗硅量子阱/红外探测器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
邓和清,林桂江,赖虹凯,李成,陈松岩,余金中..P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计[J].半导体学报,2008,29(4):785-788,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号 （）
50672079,60336010,60676027)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB613400)资助项目 （批准号:2007CB613400）
