| 注册
首页|期刊导航|光学精密工程|SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

李豫东 任建岳 金龙旭 张立国

光学精密工程2009,Vol.17Issue(4):787-793,7.
光学精密工程2009,Vol.17Issue(4):787-793,7.

SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

Total dose effects and radiation damage reasons of VLSI SRAM and ROM storages

李豫东 1任建岳 2金龙旭 1张立国1

作者信息

  • 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033
  • 2. 中国科学院,研究生院,北京,100039
  • 折叠

摘要

关键词

SRAM/ROM/静态功耗电流/动态功耗电流/总剂量辐射效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李豫东,任建岳,金龙旭,张立国..SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析[J].光学精密工程,2009,17(4):787-793,7.

基金项目

国家863高技术研究发展计划资助项目(No.863-2-5-1-13B) (No.863-2-5-1-13B)

光学精密工程

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-924X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文