H2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Effect of H2 on Low Temperature Selective Growth of Si1-xGex by UHV/CVD
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的Ge…查看全部>>
赵星;叶志镇;吴贵斌;刘国军;赵炳辉;唐九耀
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027浙江大学光学仪器工程中心,杭州,310027
电子信息工程
选择性外延生长UHV/CVDSi1xGex
《半导体学报》 2006 (1)
78-81,4
国家科学技术部攀登计划及浙江省科技计划资助项目(批准号:981101040,991110535)
评论