材料科学与工程学报2005，Vol.23Issue(6)：789-791,3.
Y2O3掺杂对低压氧化锌压敏电阻材料结构和电学性能的影响
Effect on the Electrical Properties and Microstructure of Low Voltage ZnO Varistors Doped with Y2O3
王茂华 1胡克鳌 1赵斌元 1张南法2
作者信息
- 1. 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030
- 2. 常州市创捷防雷电子有限公司,江苏,常州,213016
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摘要
关键词
低压氧化锌压敏电阻/Y2O3/电性能/显微结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王茂华,胡克鳌,赵斌元,张南法..Y2O3掺杂对低压氧化锌压敏电阻材料结构和电学性能的影响[J].材料科学与工程学报,2005,23(6):789-791,3.
