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新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源

胡洪平 冯勇建

厦门大学学报(自然科学版)2006,Vol.45Issue(6):789-791,3.
厦门大学学报(自然科学版)2006,Vol.45Issue(6):789-791,3.

新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源

A New-style Frame Super Performance CMOS Band-Gap Voltage Reference

胡洪平 1冯勇建1

作者信息

  • 1. 厦门大学机电工程系,福建,厦门,361005
  • 折叠

摘要

关键词

带隙/基准电压源/CMOS/启动电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

胡洪平,冯勇建..新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源[J].厦门大学学报(自然科学版),2006,45(6):789-791,3.

基金项目

福建省自然科学基金(2002H020)资助 (2002H020)

厦门大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

0438-0479

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