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高性能CMOS集成电压比较器设计

马奎 丁召 吴宗桂 邓爱枝 傅兴华

现代电子技术2009,Vol.32Issue(14):7-9,3.
现代电子技术2009,Vol.32Issue(14):7-9,3.

高性能CMOS集成电压比较器设计

Design of Excellent CMOS Integrated Voltage Comparator

马奎 1丁召 2吴宗桂 2邓爱枝 2傅兴华2

作者信息

  • 1. 贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025
  • 2. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025
  • 折叠

摘要

关键词

比较器/模拟信号/二进制信号/高速高精度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马奎,丁召,吴宗桂,邓爱枝,傅兴华..高性能CMOS集成电压比较器设计[J].现代电子技术,2009,32(14):7-9,3.

基金项目

贵州省科技攻关资助项目:高精度低漂移集成电压基准源研制(GY[2008]3033) (GY[2008]3033)

现代电子技术

OACSTPCD

1004-373X

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