本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值.介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析.
作者：刘亿亮;李立萍;杨晓波
作者单位：电子科技大学,成都,610054电子科技大学,成都,610054电子科技大学,成都,610054
分类：信息技术与安全科学
中文关键词：高功率微波毁伤阈值电磁场计算
刊名：《实验科学与技术》 2004 (3)
页码/页数：7-9,16,4
评论