半导体学报2001，Vol.22Issue(6)：806-810,5.
部分耗尽CMOS/SOI工艺
Technology of Partially Depleted CMOS/SOI
刘新宇 1孙海峰 1陈焕章 1扈焕章 1海潮和 1刘忠立 2和致经 2吴德馨1
作者信息
- 1. 中国科学院微电子中心,北京 100029
- 2. 中国科学院半导体研究所,北京 100083
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摘要
关键词
PBL/沟道工程/双层布线分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘新宇,孙海峰,陈焕章,扈焕章,海潮和,刘忠立,和致经,吴德馨..部分耗尽CMOS/SOI工艺[J].半导体学报,2001,22(6):806-810,5.
