福州大学学报(自然科学版)2007,Vol.35Issue(z1):8-10,3.
不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究
Surface damage of inductively coupled plasma etched SiC on different work pressure
吕英 1庞爱锁 1杨伟锋 1陈厦平 1朱会丽 1吴正云1
作者信息
- 1. 厦门大学物理系,福建,厦门,361005
- 折叠
摘要
关键词
SiC/ICP刻蚀/工作压强/表面损伤分类
数理科学引用本文复制引用
吕英,庞爱锁,杨伟锋,陈厦平,朱会丽,吴正云..不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究[J].福州大学学报(自然科学版),2007,35(z1):8-10,3.