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不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究

吕英 庞爱锁 杨伟锋 陈厦平 朱会丽 吴正云

福州大学学报(自然科学版)2007,Vol.35Issue(z1):8-10,3.
福州大学学报(自然科学版)2007,Vol.35Issue(z1):8-10,3.

不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究

Surface damage of inductively coupled plasma etched SiC on different work pressure

吕英 1庞爱锁 1杨伟锋 1陈厦平 1朱会丽 1吴正云1

作者信息

  • 1. 厦门大学物理系,福建,厦门,361005
  • 折叠

摘要

关键词

SiC/ICP刻蚀/工作压强/表面损伤

分类

数理科学

引用本文复制引用

吕英,庞爱锁,杨伟锋,陈厦平,朱会丽,吴正云..不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究[J].福州大学学报(自然科学版),2007,35(z1):8-10,3.

福州大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-2243

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