半导体学报2007，Vol.28Issue(5)：810-814,5.
SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展
Recent Progress in SiC Monocrystal Growth and Wafer Machining
摘要
关键词
升华法/SiC/模拟/温场/金刚石线切割/化学机械抛光分类
数理科学引用本文复制引用
姜守振,徐现刚,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,胡小波,王继杨,蒋民华..SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展[J].半导体学报,2007,28(5):810-814,5.基金项目
山东省半导体照明工程关键技术(批准号:2005GG2107001)和教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 （批准号:2005GG2107001）
