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掺氧非晶硅的正电子寿命研究

史志强 刘克源 王学恩 刘兴胜 杨子强

半导体学报Issue(11)：811,1.
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半导体学报Issue(11)：811,1.

掺氧非晶硅的正电子寿命研究

史志强 1刘克源 1王学恩 2刘兴胜 2杨子强2

作者信息

  • 1. 陕西师范大学物理系
  • 折叠

摘要

关键词

非晶硅/掺氧/正电子寿命

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

史志强,刘克源,王学恩,刘兴胜,杨子强..掺氧非晶硅的正电子寿命研究[J].半导体学报,1997,(11):811,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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