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双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

汤庭鳌 陈登元

半导体学报Issue(11)：812,1.
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半导体学报Issue(11)：812,1.

双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

汤庭鳌 1陈登元1

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摘要

关键词

泊松方程/离子注入/MOSFET/解析解

分类

信息技术与安全科学

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汤庭鳌,陈登元..双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型[J].半导体学报,1989,(11):812,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

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