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硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析

苏建修 郭东明 康仁科 金洙吉 李秀娟

中国机械工程2005,Vol.16Issue(9):815-818,4.
中国机械工程2005,Vol.16Issue(9):815-818,4.

硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析

Analysis of Influences on Within-wafer-nonuniformity of Motion Form in Wafer Chemical Mechanical Polishing

苏建修 1郭东明 2康仁科 1金洙吉 1李秀娟1

作者信息

  • 1. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116024
  • 2. 河南科技学院,新乡,453003
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光/运动形式/硅片内非均匀性/磨粒轨迹

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

苏建修,郭东明,康仁科,金洙吉,李秀娟..硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析[J].中国机械工程,2005,16(9):815-818,4.

基金项目

国家自然科学基金资助重大项目(50390061) (50390061)

中国机械工程

OA北大核心CSCD

1004-132X

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