物理学报2006，Vol.55Issue(2)：820-824,5.
超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理
Mechanism of NBTI degradation in ultra deep submicron PMOSFET's
摘要
关键词
超深亚微米PMOS器件/负偏压温度不稳定性/界面陷阱/氢气分类
数理科学引用本文复制引用
李忠贺,刘红侠,郝跃..超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理[J].物理学报,2006,55(2):820-824,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60206006)、国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070)和教育部重点科技研究项目(批准号:104172)资助的课题. （批准号:60206006）
