半导体学报2005，Vol.26Issue(4)：821-825,5.
旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
Influence of Sidegating Effect on Designing GaAs MESFET Digital IC
张有涛 1夏冠群 2李拂晓 1高建峰 2杨乃彬2
作者信息
- 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
- 2. 南京电子器件研究所,南京,210016
- 折叠
摘要
关键词
旁栅效应/GaAs MESFET/阈值电压/缺陷陷阱/集成度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬..旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响[J].半导体学报,2005,26(4):821-825,5.
