半导体学报2004，Vol.25Issue(7)：824-830,7.
双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件
CMOS Device Fabricated from Si/Al2O3/Si
昝育德 1王俊 1李瑞云 1韩秀峰 1王建华 1于芳 1刘忠立 1王玉田 1王占国 1林兰英1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要
关键词
外延/CMOS/SOS分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
昝育德,王俊,李瑞云,韩秀峰,王建华,于芳,刘忠立,王玉田,王占国,林兰英..双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件[J].半导体学报,2004,25(7):824-830,7.
