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4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析

王雷 张义门 张玉明 盛立志

西安电子科技大学学报(自然科学版)2004,Vol.31Issue(6):825-828,4.
西安电子科技大学学报(自然科学版)2004,Vol.31Issue(6):825-828,4.

4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析

Simulation and analysis of high frequency small-signal characteristics for 4H-SiC MESFETs

王雷 1张义门 1张玉明 1盛立志1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/金属-半导体场效应晶体管/高频小信号/特征频率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王雷,张义门,张玉明,盛立志..4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析[J].西安电子科技大学学报(自然科学版),2004,31(6):825-828,4.

基金项目

国家部委预研资助项目(413080600107) (413080600107)

西安电子科技大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2400

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