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SiGe HBT大信号扩散电容模型研究

胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 李立 姜涛

电子器件2006,Vol.29Issue(1):82-84,87,4.
电子器件2006,Vol.29Issue(1):82-84,87,4.

SiGe HBT大信号扩散电容模型研究

Study of SiGe HBT Large Signal Diffusion Capacitance Models

胡辉勇 1张鹤鸣 1戴显英 1宣荣喜 1李立 1姜涛1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

SiGe/异质结双极晶体管/存储电荷/扩散电容/PSPICE

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜,李立,姜涛..SiGe HBT大信号扩散电容模型研究[J].电子器件,2006,29(1):82-84,87,4.

基金项目

国家部委预研资助项目(41308060108) (41308060108)

模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51408010301DZ01) (51408010301DZ01)

西安电子科技大学青年科研工作站基金资助(03011#) (03011#)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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