半导体学报2006，Vol.27Issue(1)：82-85,4.
退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响
Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi2 Particles Embedded in Silicon
摘要
关键词
β-FeSi2/光致发光/退火分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李成,赖虹凯,陈松岩..退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响[J].半导体学报,2006,27(1):82-85,4.基金项目
福建省青年科技人才创新(批准号:2004J021)和集成光电子学国家重点实验室半导体所开放课题资助项目 （批准号:2004J021）
