退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi2 Particles Embedded in Silicon
研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展宽和形成的二极管漏电流增大.而在800℃下退火的样品,具有较低的漏电流和较强的室温电致发光谱.
李成;赖虹凯;陈松岩
厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门,361005厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门,361005厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门,361005
电子信息工程
β-FeSi2光致发光退火
《半导体学报》 2006 (1)
82-85,4
福建省青年科技人才创新(批准号:2004J021)和集成光电子学国家重点实验室半导体所开放课题资助项目
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