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等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

冉祎 兰天石 覃攀 戴晓雁 印永祥

人工晶体学报2007,Vol.36Issue(4):828-831,4.
人工晶体学报2007,Vol.36Issue(4):828-831,4.

等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

Silicon Tetrachloride Direct Reduction to Polysilicon in the Plasma System

冉祎 1兰天石 1覃攀 1戴晓雁 1印永祥1

作者信息

  • 1. 四川大学化工学院,成都,610065
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摘要

关键词

多晶硅/等离子体/四氯化硅/一步法/西门子法

分类

数理科学

引用本文复制引用

冉祎,兰天石,覃攀,戴晓雁,印永祥..等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究[J].人工晶体学报,2007,36(4):828-831,4.

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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