| 注册
首页|期刊导航|电子器件|HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿

HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿

陈延湖 申华军 王显泰 葛霁 刘新宇 吴德馨

电子器件2007,Vol.30Issue(3):829-832,4.
电子器件2007,Vol.30Issue(3):829-832,4.

HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿

Effect of HBT Self-Heating Effect on Bias Circuit for Power Amplifier and Its Compensation

陈延湖 1申华军 1王显泰 1葛霁 1刘新宇 1吴德馨1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

自热效应/HBT/镜像电流源偏置电路/功率放大器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈延湖,申华军,王显泰,葛霁,刘新宇,吴德馨..HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿[J].电子器件,2007,30(3):829-832,4.

基金项目

中国科学院重大创新项目资助"新型高频、大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-107)" (KGCX2-SW-107)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文