物理学报2003，Vol.52Issue(4)：830-833,4.
界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响
Study of the effect of interface state charges on field-effect mobility of n-channel 6H-SiC MOSFET
汤晓燕 1张义门 1张玉明 1郜锦侠1
作者信息
- 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
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摘要
关键词
碳化硅/界面态/反型层迁移率/场效应迁移率分类
数理科学引用本文复制引用
汤晓燕,张义门,张玉明,郜锦侠..界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响[J].物理学报,2003,52(4):830-833,4.
