硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法OA北大核心CSCDCSTPCD
A Modified Sol-Gel Coating Method for BST Thick Films on Silicon Substrates
介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.
王喆垚;刘建设;任天令;刘理天;李志坚
清华大学,微电子学研究所,北京,100084清华大学,微电子学研究所,北京,100084清华大学,微电子学研究所,北京,100084清华大学,微电子学研究所,北京,100084清华大学,微电子学研究所,北京,100084
电子信息工程
BST厚膜MEMS溶胶-凝胶(sol-gel)
《半导体学报》 2002 (8)
830-834,5
国家973(No.G1999033105)及清华大学985(No.985-信息-40-重点-05)资助项目
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