半导体学报2005，Vol.26Issue(4)：835-839,5.
注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响
Effects of Nitrogen on Electrical Characteristics of SIMOX Devices
张国强 1刘忠立 1李宁 1范楷 1郑中山 1张恩霞 2易万兵 2陈猛 2王曦2
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
- 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
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摘要
关键词
SIMOX/MOSFET/氮分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦..注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J].半导体学报,2005,26(4):835-839,5.
