半导体学报2004，Vol.25Issue(7)：836-840,5.
双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型
An Analytical Charge Control Model of Double Planar Doped HEMTs
陈震 1刘新宇 1吴德馨1
作者信息
- 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
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摘要
关键词
高电子迁移率晶体管(HEMT)/电荷控制模型/异质结/二维电子气/双面平掺杂分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈震,刘新宇,吴德馨..双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型[J].半导体学报,2004,25(7):836-840,5.
