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一种1.5GHz0.25μmCMOS低噪声放大器设计

王良坤 马成炎 叶甜春

电子器件2008,Vol.31Issue(3):841-844,4.
电子器件2008,Vol.31Issue(3):841-844,4.

一种1.5GHz0.25μmCMOS低噪声放大器设计

Design of a 1.5 GHz 0.25 μm CMOS Low Noise Amplifier

王良坤 1马成炎 2叶甜春1

作者信息

  • 1. 中科院微电子研究所,北京,100029
  • 2. 杭州中科微电子有限公司,杭州,310053
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS射频集成电路/低噪声放大器/耦合电容/噪声系数/全球定位系统

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王良坤,马成炎,叶甜春..一种1.5GHz0.25μmCMOS低噪声放大器设计[J].电子器件,2008,31(3):841-844,4.

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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