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新型多栅全耗尽SOI器件研究进展
新型多栅全耗尽SOI器件研究进展
蔡小五
海潮和
周华杰
电子器件
2007，Vol.30
Issue(3)：841-845,5.
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电子器件
2007，Vol.30
Issue(3)
：841-845,5.
新型多栅全耗尽SOI器件研究进展
Overview of Multiple-Gate Fully Depleted SOI MOSFETs
蔡小五
1
海潮和
1
周华杰
1
作者信息
1.
中国科学院微电子研究所,北京,100029
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摘要
关键词
全耗尽
/
SOI
/
多栅
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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蔡小五,海潮和,周华杰..新型多栅全耗尽SOI器件研究进展[J].电子器件,2007,30(3):841-845,5.
电子器件
OA
CSTPCD
ISSN：
1005-9490
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