半导体学报2004，Vol.25Issue(7)：841-846,6.
HfO2高k栅介质漏电流机制和SILC效应
Characteristics of Leakage Current Mechanisms and SILC Effects of HfO2 Gate Dielectric
摘要
关键词
HfO2栅介质/泄漏电流输运机制/Schottky发射/Frenkel-Poole发射/SILC分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王成刚,韩德栋,杨红,刘晓彦,王玮,王漪,康晋锋,韩汝琦..HfO2高k栅介质漏电流机制和SILC效应[J].半导体学报,2004,25(7):841-846,6.基金项目
国家重点基础研究专项经费资助项目(合同号:G20000365) （合同号:G20000365）
