电子学报2007，Vol.35Issue(5)：844-848,5.
基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型
Threshold Voltage Model of a Novel Dual Polysilicon Material Gate LDMOS Based on Two Dimensional Potential Distribution
摘要
关键词
复合多晶硅栅/LDMOS/阈值电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
代月花,高珊,柯导明,陈军宁..基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型[J].电子学报,2007,35(5):844-848,5.基金项目
国家自然科学基金(No.60576066) （No.60576066）
安徽省高等学校青年教师科研基金(No.2005kj1031) （No.2005kj1031）
