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深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型

张文良 杨之廉

半导体学报Issue(11)：849,1.
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半导体学报Issue(11)：849,1.

深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型

张文良 1杨之廉1

作者信息

  • 1. 清华大学微电子学研究所
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摘要

关键词

MOS器件/非均匀掺参/MOSFET/衬偏效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张文良,杨之廉..深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型[J].半导体学报,1997,(11):849,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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