HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取OA北大核心CSCDCSTPCD
Extraction of Equivalent Oxide Thickness for HfO2 High k Gate Dielectrics
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.
陈勇;赵建明;韩德栋;康晋锋;韩汝琦
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054北京大学微电子系,北京,100871北京大学微电子系,北京,100871北京大学微电子系,北京,100871
电子信息工程
高介电常数栅介质等效氧化层厚度二氧化铪
《半导体学报》 2006 (5)
852-856,5
国防预研基金资助项目(批准号:51412010103DZ0215)
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