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半导体学报
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双固相外延技术及高性能1μm CMOS/SOS器件的研究
双固相外延技术及高性能1μm CMOS/SOS器件的研究
张兴
石涌泉
路泉
黄敞
半导体学报
Issue(11):857,1.
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半导体学报
Issue(11)
:857,1.
双固相外延技术及高性能1μm CMOS/SOS器件的研究
张兴
1
石涌泉
1
路泉
1
黄敞
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摘要
关键词
CMOS/SOS器件
/
双固相外延
/
NMOSFET
分类
信息技术与安全科学
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张兴,石涌泉,路泉,黄敞..双固相外延技术及高性能1μm CMOS/SOS器件的研究[J].半导体学报,1995,(11):857,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN:
1674-4926
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