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半导体学报
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SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究
SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究
亓文杰
於伟峰
李炳宗
顾志光
黄维宁
姜国宝
张翔九
半导体学报
Issue(11)：858,1.
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半导体学报
Issue(11)
：858,1.
SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究
亓文杰
1
於伟峰
1
李炳宗
2
顾志光
2
黄维宁
2
姜国宝
2
张翔九
2
作者信息
1.
复旦大学电子工程系
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摘要
关键词
MOS器件
/
栅介质
/
SiGe
/
硅
/
异质结构
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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亓文杰,於伟峰,李炳宗,顾志光,黄维宁,姜国宝,张翔九..SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究[J].半导体学报,1996,(11):858,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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