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采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料

侯国付 薛俊明 袁育杰 张德坤 孙建 张建军 赵颖 耿新华

人工晶体学报2007，Vol.36Issue(1)：85-88,4.
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人工晶体学报2007，Vol.36Issue(1)：85-88,4.

采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料

High Conductive p-type Microcrystalline Silicon with High Crystallinity Prepared by High-pressure RF-PECVD

侯国付 1薛俊明 2袁育杰 3张德坤 4孙建 4张建军 4赵颖 4耿新华4

作者信息

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300031
  • 2. 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071
  • 3. 光电信息科学与技术教育部重点实验室南开大学,天津大学,天津300071
  • 折叠

摘要

关键词

p型微晶硅/高压RF-PECVD/太阳电池

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

侯国付,薛俊明,袁育杰,张德坤,孙建,张建军,赵颖,耿新华..采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料[J].人工晶体学报,2007,36(1):85-88,4.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB202602和2006CB202603)和天津市自然科学基金项目(043612511)资助 （973）

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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