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AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星李建军韩军邢艳辉邓军俞波沈光地陈建新

量子电子学报2005，Vol.22Issue(1)：85-89,5.

Studies on the gain characteristic of the AlInGaAs/AlGaAs strain quantum well

盖红星 ¹李建军 ¹韩军 ¹邢艳辉 ¹邓军 ¹俞波 ¹沈光地 ¹陈建新¹

作者信息

光电子学/应变量子阱/光增益/AlInGaAs/半导体激光器

数理科学

盖红星,李建军,韩军,邢艳辉,邓军,俞波,沈光地,陈建新..AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究[J].量子电子学报,2005,22(1):85-89,5.

国家973计划资助项目(G20000683-3) （G20000683-3）

OA北大核心CSCD

ISSN：1007-5461

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