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环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究
环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究
赵宏卫
汪琛
黄仲平
蔡勇
王保平
童林夙
半导体学报
Issue(11)：861,1.
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半导体学报
Issue(11)
：861,1.
环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究
赵宏卫
1
汪琛
1
黄仲平
2
蔡勇
2
王保平
2
童林夙
2
作者信息
1.
东南大学电子学研究所
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摘要
关键词
阴极发射体
/
环形火山口式
/
边缘场致发射体
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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赵宏卫,汪琛,黄仲平,蔡勇,王保平,童林夙..环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究[J].半导体学报,1997,(11):861,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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