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电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究

羊亿 申德振 郑着宏 张吉英 杨宝均 范希武

发光学报Issue(1):86-89,4.
发光学报Issue(1):86-89,4.

电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究

羊亿 1申德振 1郑着宏 2张吉英 2杨宝均 2范希武2

作者信息

  • 1. 中国科学院长春物理研究所
  • 折叠

摘要

关键词

单量子阱/电场调制/受激发射/硒化锌/锌镉硒

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

羊亿,申德振,郑着宏,张吉英,杨宝均,范希武..电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究[J].发光学报,1999,(1):86-89,4.

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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