半导体学报2006，Vol.27Issue(1)：86-90,5.
氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响
Influence of Oxidation on Residual Strain Relaxation of SiGe Film Grown on SOI Substrate
金波 1王曦 1陈静 1张峰 1程新利 1陈志君1
作者信息
- 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
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摘要
关键词
氧化/SiGe/SOI/应变弛豫分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
金波,王曦,陈静,张峰,程新利,陈志君..氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响[J].半导体学报,2006,27(1):86-90,5.
