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计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型

张文良 杨之廉

半导体学报Issue(11)：877,1.
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半导体学报Issue(11)：877,1.

计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型

张文良 1杨之廉1

作者信息

  • 1. 清华大学电子学研究所
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摘要

关键词

MOS器件/开启电压/MOSFET/涂亚微米

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张文良,杨之廉..计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型[J].半导体学报,1997,(11):877,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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