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WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制

王嘉蓉

现代电子技术Issue(9)：87-88,90,3.

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现代电子技术Issue(9)：87-88,90,3.

WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制

Manufacture of WVP1N06 Si N Channel Enhancement Type Power Field Effect Transistor

王嘉蓉¹

作者信息

1. 国营八七七厂,西安,710065
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摘要

关键词

硅N沟场效应晶体管/增强型/功率器件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王嘉蓉..WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制[J].现代电子技术,2002,(9):87-88,90,3.

现代电子技术

ISSN：1004-373X

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